光刻是一(yī)種使用曝光将設計的掩模圖案轉移到基闆上的工(gōng)藝。
紫外(wài)光刻機是專爲實驗室研發和小(xiǎo)批量生(shēng)産而設計的高分(fēn)辨率光刻系統。光刻機提供良好的基闆适應性,可夾持标準尺寸基闆的最大(dà)直徑爲150mm。該設備提供多種曝光方式,包括真空、軟接觸、硬接觸、最近鄰等,可實現鍵合對準、納米壓紋、微接觸密封等多種功能。
雙面對位的整體(tǐ)設計技術采用CCD圖像底部對位技術和單曝光頭正面曝光實現。采用新型高精度、多自由度光罩樣品精密對準工(gōng)作台結構設計,光罩樣品對準過程直觀,雕刻對準速度快,精度高。掩膜闆和樣品的放(fàng)置采用推拉式參考闆和真空吸附,操作方便。該裝置可用于用紫外(wài)光照射正膠或負膠,通過顯影可對樣品進行精細圖案化。
紫外(wài)光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電子、生(shēng)物(wù)器件和納米技術。而且,該系列光刻機已被多家企業、研發中(zhōng)心、科研院所、高校采用作爲其光刻系統的基礎;其過硬的技術、技術和良好的服務赢得了廣大(dà)用戶的青睐。
作爲光刻系統,重要的UV曝光機技術在于以下(xià)兩個方面:掩模晶圓對準和将掩模上的圖案複制到晶圓上,爲下(xià)一(yī)步或離(lí)子注入工(gōng)藝做準備。紫外(wài)光刻機系統的曝光方式采用壓力可調的接觸式曝光,有效減少光刻膠對掩膜的污染和掩膜的磨損,從而提高掩膜的使用壽命。因此,曝光機/光刻系統以其高性價比令人印象深刻。