紫外(wài)光刻機的重要技術主要體(tǐ)現在這兩個方面
更新時間：2022-01-10 點擊次數：1427
紫外(wài)光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電子、生(shēng)物(wù)器件和納米技術。并且，該系列光刻機已被多家企業、研發中(zhōng)心、科研院所、大(dà)專院校采用作爲其光刻系統的基礎；其過硬的技術、良好的服務赢得了廣大(dà)用戶的青睐。作爲光刻系統，其重要技術在于以下(xià)兩個方面：掩模晶圓對準和将掩模上的圖案複制到晶圓上，爲下(xià)一(yī)步或離(lí)子注入工(gōng)藝做準備。
紫外(wài)光刻機的曝光方式采用壓力可調的接觸曝光，有效減少光刻膠對掩模版的污染和掩模版的磨損，從而提高掩模版的使用壽命。該機采用i-line紫外(wài)曝光光源，光學系統采用特殊的抗衍射和線陡增強技術，采用積木錯位繩眼透鏡實現高光均勻照明，配備雙目雙目顯微鏡和CCD圖像對準系統（可以同時使用）。具有高曝光能量、小(xiǎo)聚焦角、厚膠曝光功能。曝光設置微電腦控制，菜單界面友好，操作簡單。
該設備采用CCD圖像底部對準技術和單曝光頭正面曝光的整體(tǐ)設計技術，實現雙面對準。采用新穎的高精度、多自由度掩模樣品精密對準工(gōng)作台結構設計，掩模樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快，精度高。掩模闆和樣品的放(fàng)置采用推拉式參考闆和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外(wài)光照射正膠或負膠，通過顯影可對樣品進行精細圖案化。
紫外(wài)光刻機适用于所有标準化光刻應用，帶有頂部和底部對齊系統。底部對位系統允許對基闆的上下(xià)表面進行圖形加工(gōng)，适用于三五組易碎化合物(wù)、不規則基闆、透明基闆和碎片的微加工(gōng)。具有鍵合對準升級功能和衍射減少光學系統。曝光方式可以是近距離(lí)接觸、軟接觸、硬接觸和真空接觸。
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