紫外(wài)光刻機可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生(shēng)産。它方便處理各種非标準基片、例如混合、高頻(pín)元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且該設備可通過選配升級套件，實現紫外(wài)納米壓印光刻。它具有以下(xià)亮點：高分(fēn)辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分(fēn)視場顯微鏡，實現快速準确對準、針對厚膠工(gōng)藝進行優化的高分(fēn)辨光學系統、可選配通用光學器件，在不同波長間進行快速切換等。
随着電子業的飛速發展,對作爲電子元器件基礎的印制闆的需求量及其加工(gōng)精度的要求越來越高。紫外(wài)線光刻機是印制闆制造工(gōng)藝中(zhōng)的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生(shēng)産過程中(zhōng)需要人工(gōng)趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得其生(shēng)産成本高、效率低,已不能滿足PC B 生(shēng)産的需要。在實驗基礎上設計了雙玻璃曬架光刻機，改進了其主要組成部分(fēn),包括曬架系統、光路系統、冷卻系統以及電氣和控制系統的整體(tǐ)設計。
在計算機的控制下(xià)，利用聚焦電子束對有機聚合物(wù)（通常稱爲電子抗蝕劑或光刻膠）進行曝光，受電子束輻照後的光刻膠，其物(wù)理化學性質發生(shēng)變化，在一(yī)定的溶劑中(zhōng)形成良溶或非良溶區域，從而在抗蝕劑上形成精細圖形。
對光源系統的要求
a.有适當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小(xiǎo)；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因爲衍射現象會更嚴重。
b.有足夠的能量。能量越大(dà)，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分(fēn)布在曝光區。[一(yī)般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分(fēn)布]
常用的紫外(wài)光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光後使用其中(zhōng)的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外(wài)光光源，可以使用準分(fēn)子激光。例如KrF 準分(fēn)子激光（248 nm）、ArF 準分(fēn)子激光（193 nm）和F2準分(fēn)子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
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