紫外(wài)光刻機的性能指标主要集中(zhōng)在這幾個方面
更新時間：2022-07-05 點擊次數：1383
紫外(wài)光刻機的主要性能指标包括：支撐基闆的尺寸範圍、分(fēn)辨率、對位精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生(shēng)産效率等。
1、分(fēn)辨率是描述光刻可以達到的最細線精度的一(yī)種方式。光刻機的分(fēn)辨率受到光源衍射的限制，因此受到光源、光刻系統、光刻膠和工(gōng)藝的限制。
2、對準精度是多層曝光時層間圖案的定位精度。
3、曝光方式分(fēn)爲接觸接近、投影和直寫。
4、曝光光源的波長分(fēn)爲紫外(wài)區、深紫外(wài)區和極紫外(wài)區。光源包括汞燈、準分(fēn)子激光器等。
紫外(wài)光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電子、生(shēng)物(wù)器件和納米技術。重要的技術在于以下(xià)兩個方面：掩模晶圓對準，以及将掩模上的圖案複制到晶圓上，爲下(xià)一(yī)步或離(lí)子注入工(gōng)藝做準備。曝光方式采用壓力可調的接觸曝光，有效降低了光刻膠對掩模版的污染和掩模版的磨損，提高了掩模版的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高性價比令人印象深刻。
紫外(wài)光刻機高分(fēn)辨率光刻，光燒蝕/光解/光催化工(gōng)藝，表面能改性，臭氧産生(shēng)，低損傷原子表面清潔，增強薄膜附着力，高功率平面真空紫外(wài)光爲光處理提供了新的可能性。大(dà)功率弧光燈的革命性使用具有出色的均勻性和通用性，高效緊湊的模塊化設計，這些都是在172nm光源上實現的。此外(wài)，還創造性地推出了真空紫外(wài)線處理系統。
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