紫外(wài)光刻機強力助攻微納器件制備
更新時間：2022-06-08 點擊次數：1019
紫外(wài)光刻機新一(yī)代紫外(wài)光源：172nm，具有同類産品良好的輸出強度，3%的可用孔徑，弧光燈使用壽命更長。暴露高達30000次，瞬間啓動，無需超淨室，内置淨化系統可使系統在大(dà)氣環境中(zhōng)工(gōng)作，無需主動冷卻和外(wài)部冷卻，無有毒氣體(tǐ)和汞等物(wù)質。高光能轉換率（EVU僅爲0.02%），節能；傳統的UV處理會存在以上問題。光刻操作可以在幾分(fēn)鍾内完成，維護簡單，幾乎不需要培訓。
1、微米級高分(fēn)辨率投影光刻。
2、實現無遮罩任意圖案書(shū)寫，所見即所得，即時。
3、200mm行程拼接，100nm拼接精度。
4、視覺引導光斑，支持雕刻。
5、全自動操作，圖形縮放(fàng)、旋轉、定位、掃描、拼接均由軟件完成。
紫外(wài)光刻機紫外(wài)投影光刻技術将特定形狀的光斑投射到塗在器件表面的光刻膠上。光刻膠的照射區域會産生(shēng)化學變化。曝光顯影後，可形成微米級精密圖案；通過進一(yī)步的蝕刻或蒸發，可以在樣品表面形成所需的結構。UV投影光刻作爲材料、器件、微結構和微器件的常用制備技術，廣泛應用于微納米結構制備、半導體(tǐ)器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學掩模制備、PCB制造等應用。
傳統的UV投影光刻機需要先制作掩模版，耗材成本高，制備周期長，難以滿足材料和器件實驗室對靈活性和實驗進度的要求。近年來開(kāi)發的紫外(wài)光刻機技術突破了這一(yī)技術限制，實現了任意形狀編程和全自動高精度大(dà)面積拼接的無掩模光刻，随時将您的設計轉化爲實際的成品，大(dà)大(dà)減少了開(kāi)發和測試周期，強有力的助攻微納器件制備的“臨門一(yī)腳”。
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